当你打开手机或者电脑的时候，你有没有注意过它们里面的芯片是从哪里来的呢？
你可以回答：英特尔、苹果、AMD、高通、英伟达……这些知名芯片厂商是很多人购买电子产品时重点关注的指标，也是产品的主要卖点。
如果手机卡卡了，电脑上能不能运行大型游戏，芯片好用了，消费者的感受就太直接了。
但还有另一种类型的芯片，你可能很少关注或听说过芯片。
每个人的电脑和手机都应该有存储芯片。如果把逻辑芯片比作“大脑”，进行计算、控制和决策，那么存储芯片就像一个“仓库”，负责数据的存储和记忆。
没有了mga内存块的“仓库”数据，CPU、GPU等顶级工作人员将“无事可做”。
与逻辑芯片一样，存储芯片也长期被厂商垄断。国外从设计到制造，市场高度集中。
业界称其为存储芯片“三巨头”或“五巨头”，起源于韩国、日本和美国。
在这片常人不注意的记忆领域里，其实正在发生着一场激烈的攻防战。
争议双方来自中国：武汉长江水库和合肥长兴水库。
作为国内唯一的“双子座”芯片存储器，他们被寄予厚望，能够打破“卡脖子”技术，强烈撼动原有格局。
尽管记忆爱好者是聚光灯下的“幕后英雄”，但他们的市场规模却不容小觑。
根据全球半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，预计2025年全球内存销售额将达到1848.41亿美元，成为千亿级市场。
存储卡是一个高度周期性的行业，UPS和起伏。我们目前正在经历的是内存的超级繁荣周期。
摩根士丹利预测，这个超级周期将持续多年，并将主要由人工智能驱动。预计到2027年，全球存储市场规模将超过3000亿美元。
像 Open AI 和 Google 这样的 AI 巨头每天都会消耗大量的内存资源。毕竟，大型模型训练需要大量数据。
存储器主要有两种类型：DRAM 和 NAND。理解两者之间的区别非常简单。举例：DRAM是手机中的运行内存，NAND是手机中的存储空间。
例如，您的手机运行内存为8G，存储空间为256G。前者说的是DRAM，后者说的是NAND。
当您打开应用程序时，软件程序和数据将从 NAND（硬盘）加载到 DRAM 中供您编辑。 DRAM就像一个“工作台”，NAND就像一个“仓库”。
开元证券陈荣芳主管部门指出，存储AI服务器的需求大幅增加。单台AI服务器的DRAM使用量约为传统服务器的8倍，NAND使用量约为传统服务器的3倍。到2025年，AI存储需求将占40%，未来可能进一步增长。
内存巨头之一SK海力士曾宣布，OpenAi每月对DRAM晶圆的需求将高达90万片。
作为人工智能的重要综合设施，记忆棒的价格也像火箭一样上涨。
Trendforce数据显示，2025年第三季度，Global Dram芯片价格同比上涨171.8%，NAND闪存价格也上涨98.5%。
“它的上涨速度比黄金还要快。”记忆库中潮起潮落公司的机器正在满负荷运转。
国内企业能否从这场超级繁荣中受益？
确实有。这就是前面提到的长江水库和长兴水库。
严冠泽存储器主攻NAND领域，长鑫主攻存储器领域是DRAM。这两家公司是目前唯一有希望在存储器领域与国际巨头竞争的中国企业。
“唯一”这个词并不夸张。
很多人可能会问，既然内存存储严重短缺，为什么其他地区不去争夺这块大蛋糕呢？
蛋糕虽大，但并不是每个人都有能力吃。
因为它是一个普通行业，需要大量的资金和较长的投资时间。
今年9月，长村三期成立，注册资本207亿元。建设一座晶圆厂动辄需要数百亿美元的投资。
长兴的存储就不那么慷慨了。
长鑫2019年正在实施的12英寸存储晶圆制造基地项目，计划分三期建设三座12英寸存储晶圆工厂，总投资至少1500亿元。根据据媒体报道，这是安徽省最大的单体工业投资项目。
2015年，发展记忆记忆被确定为国家战略。随后设立了1380亿元的国家集成电路产业投资基金和近1400亿元的地方基金。
2016年，国家存储器基地落户武汉。
落户武汉的一个重要原因是，在中西部地区中，武汉起步较早，在集成电路领域有扎实的基础。
进入21世纪初，武汉敏锐地知道，过去是“铁”，未来是“硅”。超高单晶硅片是芯片制造的主要材料。
2006年，武汉欣欣诞生。据长江日报报道，当时，省市对武汉新芯一期投资107亿元，占武汉新芯总投资的近十分之一。f 当年全省国有经济资产。
《核心事——一本书看懂芯片行业》一书指出，武汉新芯早期发展有些波折，遭遇了全球内存市场价格大幅下跌、大客户即将流失的情况。截至2012年，武汉新鑫仍处于亏损状态。
2013年，54岁的中芯国际前首席运营官杨士宁博士接受武汉东湖开发区邀请，加盟武汉新芯担任CEO。杨世宁有美国经历，曾在芯片巨头英特尔工作十余年，并在中芯国际管理技术。杨世宁带上头盔后，武汉新芯的3D闪存技术水平逐渐逼近海力士、美光等国际巨头。
到国家记忆基地成立时，武汉新芯已经组建十年了。
当年，长兴资源库在合肥成立；长江水伺服公司在武汉成立。
从股权结构来看，长江存储从一开始就给予了国家厚望。
长江存储一期由国家集成电路产业投资基金有限公司（“大基金”）、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北科投共同出资，湖北科投也是武汉新芯的股东。二期由紫光集团与“大基金”共同出资。
长江存储首任CEO是杨士宁。杨世宁预计，随着云计算和智能终端的发展，NAND闪存的需求将持续增长10倍。
根据长江存储的目标，长江存储将在2019年通过跨越式发展实现领先世界技术半代的技术差距，并在2020年与世界领先技术“并行”。事实上，长江水库真正实现了“跨越式发展”——
2018年，长江存储32层3D NAND成功上市，实现国产3D NAND的突破；
2019年，长江存储第二代64层3D NAND闪存实现量产；
2020年，长江存储跳过96层，成功比诺128层3D NAND，达到全球闪存主流水平；次年，长江存储第三代TLC/QLC NAND量产；
2022年，长江第四代TLC 3D NAND存储器研发成功；次年，第四代TLC/QLC NAND量产。 232层的堆叠层数和存储密度达到国际领先水平...
2024年，第五代TLC 3D NAND研发成功并量产。
看到这里，你可能会有一个疑问，为什么内存芯片需要堆得越来越高呢？如果我们把记忆比作建造一座建筑物，工程师最初建造的是一座二维建筑物，相当于只建造了一层楼，里面有许多小房间（单元），每个房间都可以存储信息。
但如果要建几个房间，地基也必须更大，也就是说筹码会越来越大。
于是，工程师们想出了一个巧妙的办法。可以垂直建造吗？ 3D NAND诞生了，它可以比作存储信息的摩天大楼。堆叠层数越多，存储密度越大。堆叠层数越多，工艺要求越高。
这种类型的建筑需要多少资金？
请想象一个场景——
你在长江岸边。你拿出12兆像素的手机，拍了一张长江大桥和夕阳的美丽照片。
该图像包含 1200 万像素，存储在 2.88 亿位中。每个TLC存储单元可存储3条inf每个QLC存储单元可以存储4条信息。
这也意味着，如果这张简单的图像没有被手机压缩，理论上需要接近7200万到9600万个存储单元（cell）来存储。
高端3D NAND存储芯片，其面积约为指甲盖大小。在指甲盖大小的范围内，制造商垂直堆叠了200多层存储结构，集成了数百亿个存储单元。
200多层的“摩天大楼”的高度可能只有人类头发丝直径的零点几分之一，而且每一层都要求极致的光滑度和均匀度。
每个相邻“小房间”（存储单元）之间的距离仅为20-40纳米，约为人类头发直径的1/2600。
这种极端的艺术品也决定了存储卡只能与部分玩家竞争。
长村、长兴难以替代。
需要十年磨砺恩一把剑。长江仓储、长兴仓储成立已有十年。
通过在各自领域进行研发，不仅赢得了竞争，还抢占了原本由国际巨头占据的市场份额。
长期以来，全球Nand Flash市场由四大阵营主导：三星、SK海力士、铠侠/西部数据联盟和美光。
其中，三星的市场份额最高，约为35%。四大阵营合计市场份额约为85%。
作为国内唯一的3D NAND芯片制造商，长江存储在2021年首次进入全球排名，市场份额接近2%。 2022年被列入“实体清单”将阻碍市场份额的增长。调整策略后，长江存储今年市场份额首次达到9%，距两位数仅一步之遥。
长村三期达产后，市场份额可能继续增加至15%。
今年2月，韩国媒体ZDNETKorea报道称，三星电子近期与中国存储技术签署专利许可协议，将从后者获得一项3DNAND“混合键合”专利。该专利是一种将晶圆直接粘合到晶圆上的尖端封装技术。
作为存储芯片行业的领导者，三星获得中国企业的专利许可被认为是罕见的事情。
DRAM市场较为集中，三星、SK海力士、美光三大巨头垄断了90%以上的产能。今年第三季度，“三巨头”的市场份额也在90%左右。
▼ 2024 年第三季度至 2025 年第三季度 DRAM 市场份额分布。资料来源：Counterpoint Research Memory Tracker
长鑫存储的份额正在逐渐增加。今年前三季度，长鑫存储的利润分成提高至5%。
市场分析机构今年6月预测，长鑫的内存DRAM出货量将在2025年同比增长50%，其在整体DRAM市场的份额有望从第一季度的6%增长到第四季度的8%。
这两家公司的估值都在千亿左右。
目前，长鑫科技已完成上市引导工作。此前，2024年3月，公司完成新一轮融资108亿元，投前估值突破1400亿元。
长江水库以1600亿元估值首次登上胡润“2025全球独角兽榜”。
长江的蓄水、长兴的蓄水，对于武汉、合肥在全国记忆景观中都十分重要。
它们就像“双星”，代表着中国登上科技强国和工业强国巅峰的力量。
武汉提出建设“世界之都”orld”，在这里可以找到信心。
九派新闻记者 柴贵
